LP8841SDLP35118N组合是65W SiC QR 准谐振反激 副边同步整流方案主打极简 BOM、高效率、小体积、易过六级能效 / EMI 认证面向 PD 快充、适配器与工业内置电源。应用场景消费电子65W PD 快充手机 / 笔记本 / 平板、多口充电器。工业电源24V/2.5A、12V/5A 内置电源六级能效要求场景。适配器替代传统硅基 65W 方案追求小体积、高效率、低成本。方案优势对比传统硅基极简 BOMLP8841SD 超宽 VCC 省 LDO / 稳压管LP35118N 自供电省副边辅助绕组外围器件减少 15 颗。SiC 高频加持18V 驱动适配 SiC130kHz 高频变压器体积缩小20~30%功率密度提升。全负载高效QR 谷底 MPCM 打嗝多模式5W 待机效率 78%满载效率 92%轻松过六级能效。EMI 易过±5% 抖频 SiC 开关波形干净纹波小省共模电感 /π 滤波成本。高可靠性工控级保护OVP/OCP/OTP高低温 / 满载稳定适配严苛场景。PD65 方案规格典型 Demo输入90~264VAC47~63Hz全球宽压。输出PD3.05V/3A、9V/3A、12V/3A、15V/3A、20V/3.25APPS3.3~21V/3A性能峰值效率≥92%230VAC 满载待机功耗200mW六级能效纹波200mV20V 满载核心器件主开关国产 750V SiC MOSFET变压器PQ2620130kHz体积缩小 20%协议 IC通用 PD3.0PPS设计要点变压器PQ2620130kHz原边电感450μHSiC 适配。SiC MOS750V/10ARds (on)≤120mΩ18V 驱动。PCB 布局原边功率回路短粗LP8841SD GND 隔离副边 SR 靠近 MOS。辅助供电直接从变压器辅助绕组取电16~90V省 LDO。核心芯片详解1. 原边主控LP8841SDSOT23-6L定位SiC 专用高频 QR 反激控制器恒压 原边恒流。关键参数VCC16~90V超宽省 LDO / 稳压管驱动18V适配 SiC MOSTr110ns/Tf50ns频率最高130kHz抖频 ±5%优化 EMI保护VCC OVP92V 锁存、Brown-in/out、OCP、ZCD、内置 OTP150℃。工作模式重载 QR→中轻载谷底→轻载 MPCM→极轻载打嗝全负载高效稳定。2. 副边同步整流LP35118NSOT23-6L定位200V 高耐压 SR 控制器自供电无需辅助绕组。关键特性耐压200V适配 12~24V 输出模式DCM/CCM 兼容专利防误开通替代Pin-to-Pin 兼容 MPS MP6908/6908A