高频高压工作时，回路寄生参数会使 SiC 器件产生较大的 dv/dt、di/dt 干扰。尤其是在桥式电路中，此类扰动极易出现串扰，造成功率管误导通、击穿，降低电路可靠性。因此，分析 SiC 开关特性与串扰机制，对驱动电路的可靠性设计是十分必要的。2.1 SiC驱动机理分析2.1.1 SiC寄生参数模型 下图给出了SiC带寄生参数的等效模型，SiC的寄生参数主要有寄生电感和寄生电容两类。寄生电感主要有栅极寄生电感Lg、源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，寄生电感在高频下容易与电容耦合，产生高频振荡。寄生电容主要有栅源寄生电容Cgs、栅漏寄生电容Cgd和漏源寄生电容Cds。2.1.2 开通过程