核心路由器材料体系详解1. 芯片与封装材料1.1 交换芯片材料硅衬底（先进制程）：制程节点：7nm/5nmFinFET晶体管密度：100−200MTr/mm2,功耗密度：0.5−1.0W/mm2高k金属栅极材料：栅介质：HfO2​,k=20−25,EOT=0.8−1.2nm金属栅极：TiN/TaN/TiAlC复合结构,功函数：4.0−4.3eV(NMOS),4.7−5.0eV(PMOS)互连材料：铜互连：线宽：20−40nm,深宽比：2:1−3:1,RCu​=3−8μΩ⋅cm(含尺寸效应)阻挡层/粘附层：材料：Ru/Mn/TaN复合结构,厚度：2−5nmRbarrier​=50−100μΩ⋅cm,占通孔面积：20%中间层电介质：材料：SiCOH(k=2.7-2.9),SiCN(k=4.0-5.0)